MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 54Pin VFBGA T/R

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 166MHz 5ns 54-VFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V Automotive 54-Pin VFBGA

安富利:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA T/R

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MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR

MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 5 ns

存取时间Max 5ns, 8ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR引脚图与封装图

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