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MCR12DSMT4G

MCR12DSMT4G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  MCR12DSMT4G  Thyristor, 600 V, 200 µA, 7.6 A, 12 A, TO-252, 3 Pins 新

SCRs 12 AMPERES RMS 600 −800 VOLTS

Reverse Blocking Thyristors

Designed for high volume, low cost, industrial and consumer applications such as motor control; process control; temperature, light and speed control; CDI Capacitive Discharge Ignition; and small engines.

Features

•Small Size

•Passivated Die for Reliability and Uniformity

•Low Level Triggering and Holding Characteristics

•Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

•ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V Machine Model, C 400 V

•These are Pb−Free Devices

MCR12DSMT4G中文资料参数规格
技术参数

触点数 2

额定电压DC 600 V

额定电流 12.0 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

转换速率 10.0 V/μs

保持电流 6 mA

保持电流Max 6 mA

工作温度Max 110 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 110℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MCR12DSMT4G引脚图与封装图
MCR12DSMT4G引脚图

MCR12DSMT4G引脚图

MCR12DSMT4G封装焊盘图

MCR12DSMT4G封装焊盘图

在线购买MCR12DSMT4G
型号 制造商 描述 购买
MCR12DSMT4G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MCR12DSMT4G  Thyristor, 600 V, 200 µA, 7.6 A, 12 A, TO-252, 3 Pins 新 搜索库存
替代型号MCR12DSMT4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MCR12DSMT4G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK 12A 600V 3Pin

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MCR12DSMT4G  Thyristor, 600 V, 200 µA, 7.6 A, 12 A, TO-252, 3 Pins 新

当前型号

型号: MCR12DSNT4G

品牌: 安森美

封装: DPAK 12A 800V 3Pin

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MCR12DSNT4G  晶闸管, 800 V, 200 µA, 7.6 A, 12 A, TO-252, 3 引脚 新

MCR12DSMT4G和MCR12DSNT4G的区别

型号: MCR12DSMT4

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 12A 600V

类似代替

敏感栅硅控整流器反向阻断晶闸管 Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

MCR12DSMT4G和MCR12DSMT4的区别

型号: TS1220-600B

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 7.6A 600V 3Pin

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STMICROELECTRONICS  TS1220-600B  晶闸管, 600 V, 200 µA, 8 A, 12 A, TO-252, 3 引脚

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