MT46V64M8CY-5B:J TR

Micron(镁光) 主动器件

Ic Sdram 512Mbit 200MHz 60fbga

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb 64M x 8 Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA 8x12.5

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M8CY 5B:J TR

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DDR 512M 64MX8 FBGA

MT46V64M8CY-5B:J TR中文资料参数规格

技术参数

存取时间 700 ps

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

MT46V64M8CY-5B:J TR引脚图与封装图

MT46V64M8CY-5B:J TR引脚图

MT46V64M8CY-5B:J TR封装图

MT46V64M8CY-5B:J TR封装焊盘图

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替代型号MT46V64M8CY-5B:J TR

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型号： MT46V64M8CY-5B:J TR 品牌： Micron 镁光封装：	当前型号	Ic Sdram 512Mbit 200MHz 60fbga	当前型号
型号： MT46V64M8CV-5B:J TR 品牌：镁光封装： BGA	完全替代	DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60Pin FBGA	MT46V64M8CY-5B:J TR和MT46V64M8CV-5B:J TR的区别
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