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MT47H64M8SH-25E AIT:H

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V Automotive 60Pin FBGA

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 64M x 8 Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA 10x18


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V Automotive 60-Pin FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA


MT47H64M8SH-25E AIT:H中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

MT47H64M8SH-25E AIT:H引脚图与封装图
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在线购买MT47H64M8SH-25E AIT:H
型号 制造商 描述 购买
MT47H64M8SH-25E AIT:H Micron 镁光 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V Automotive 60Pin FBGA 搜索库存
替代型号MT47H64M8SH-25E AIT:H
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT47H64M8SH-25E AIT:H

品牌: Micron 镁光

封装: BGA

当前型号

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V Automotive 60Pin FBGA

当前型号

型号: MT47H64M8CF-25E AIT:G

品牌: 镁光

封装:

类似代替

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MT47H64M8SH-25E AIT:H和MT47H64M8CF-25E AIT:G的区别

型号: MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

品牌: 镁光

封装:

类似代替

IC SDRAM 512Mbit 400MHz 60FBGA

MT47H64M8SH-25E AIT:H和MT47H64M8CF-25E AIT:G TR的区别