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MT29F4G08ABADAH4:D TR

MT29F4G08ABADAH4:D TR

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8Bit 63Pin VFBGA T/R

FLASH - NAND Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 63-VFBGA 9x11


得捷:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA


艾睿:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4G-bit 512M x 8 25ns 63-Pin VFBGA T/R


安富利:
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8Bit 63-Pin VFBGA T/R


MT29F4G08ABADAH4:D TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 63

封装 BGA-63

外形尺寸

封装 BGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

MT29F4G08ABADAH4:D TR引脚图与封装图
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MT29F4G08ABADAH4:D TR Micron 镁光 SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8Bit 63Pin VFBGA T/R 搜索库存