MT29F1G08ABADAH4-ITE:D
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D中文资料参数规格
技术参数
工作电压 3.30 V
内存容量 125000000 B
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VFBGA-63
外形尺寸
封装 VFBGA-63
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
MT29F1G08ABADAH4-ITE:D引脚图与封装图
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在线购买MT29F1G08ABADAH4-ITE:D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT29F1G08ABADAH4-ITE:D | Micron 镁光 | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8Bit 63Pin VFBGA | 搜索库存 |
替代型号MT29F1G08ABADAH4-ITE:D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT29F1G08ABADAH4-ITE:D 品牌： Micron 镁光 封装： 63-VFBGA 125000000B | 当前型号 | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8Bit 63Pin VFBGA | 当前型号 |
| 型号： MT29F1G08ABADAH4-ITX:D 品牌： 镁光 封装： 63-VFBGA 125000000B | 完全替代 | SLC NAND Flash 3.3V 1G-bit 128M x 8 63Pin VFBGA | MT29F1G08ABADAH4-ITE:D和MT29F1G08ABADAH4-ITX:D的区别 |
