MNR35J5RJ333

ROHM Semiconductor 罗姆半导体被动器件

Res Thick Film Array 33KΩ 5% 200ppm/℃ BUS Molded 10Pin 25128 X 1206 Convex SMD Embossed T/R

33k Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Bussed Resistor Network/Array ±200ppm/°C 2512 6432 Metric, Convex, Long Side Terminals

得捷:
RES ARRAY 8 RES 33K OHM 2512

安富利:
RES NTWK ARRAY 33K OHM 1/16W 5% 1206 8 ELEMENT SMD

Chip1Stop:
Res Thick Film Array 33K Ohm 5% 200ppm/ C BUS Molded 10-Pin 25128 X 1206 Convex SMD Embossed T/R

MNR35J5RJ333中文资料参数规格

技术参数

触点数 10

额定电压DC 50.0 V

容差 ±5 %

额定功率 63.0 mW

电阻 33 kΩ

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装公制 6432

封装 2512

外形尺寸

长度 6.4 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.55 mm

封装公制 6432

封装 2512

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级 AEC-Q200

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MNR35J5RJ333引脚图与封装图

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MNR35J5RJ333	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	Res Thick Film Array 33KΩ 5% 200ppm/℃ BUS Molded 10Pin 25128 X 1206 Convex SMD Embossed T/R	搜索库存