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MNR34J5ABJ333

MNR34J5ABJ333

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 被动器件

Res Thick Film Array 33KΩ 5% 200ppm/℃ ISOL Molded 8Pin 20124 X 1206 Convex SMD Embossed T/R

33k 欧姆 ±5% 125mW 每元件功率 隔离 器网络,阵列 ±200ppm/°C 2012,凸面,长边端子


得捷:
RES ARRAY 4 RES 33K OHM 2012


Chip1Stop:
Res Thick Film Array 33K Ohm 5% ±200ppm/ÂÂ℃ ISOL Molded 8-Pin 20124 X 1206 Convex SMD Automotive Embossed T/R


Verical:
Res Thick Film Array 33K Ohm 5% ±200ppm/C ISOL Molded 8-Pin 20124 X 1206 Convex SMD Automotive T/R


MNR34J5ABJ333中文资料参数规格
技术参数

触点数 8

额定电压DC 200 V

容差 ±5 %

额定功率 125 mW

电阻 33 kΩ

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 2012

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.55 mm

封装 2012

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级AEC-Q200, 汽车级 AEC-Q200

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MNR34J5ABJ333引脚图与封装图
MNR34J5ABJ333引脚图

MNR34J5ABJ333引脚图

MNR34J5ABJ333封装图

MNR34J5ABJ333封装图

MNR34J5ABJ333封装焊盘图

MNR34J5ABJ333封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
MNR34J5ABJ333 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 Res Thick Film Array 33KΩ 5% 200ppm/℃ ISOL Molded 8Pin 20124 X 1206 Convex SMD Embossed T/R 搜索库存