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MJD112T4

MJD112T4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  MJD112T4  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 100V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 25MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 500~2000 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 2V~3V 耗散功率PcPower Dissipation| Description & Applications| Complementary power Darlington transistors Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode 描述与应用| Complementary power Darlington transistors HFE线性度好 ■高FT  频率 ■单片达林顿配置 综合反平行集电极 - 发射极二极管

MJD112T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 2.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

额定功率Max 20 W

直流电流增益hFE 1000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD112T4引脚图与封装图
MJD112T4引脚图

MJD112T4引脚图

MJD112T4封装图

MJD112T4封装图

MJD112T4封装焊盘图

MJD112T4封装焊盘图

在线购买MJD112T4
型号 制造商 描述 购买
MJD112T4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  MJD112T4  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE 搜索库存
替代型号MJD112T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJD112T4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 NPN 100V 2A 20000mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  MJD112T4  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 1000 hFE

当前型号

型号： MJD112G

品牌： 安森美

封装： DPAK NPN 100V 2A 1750mW

功能相似

NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

MJD112T4和MJD112G的区别

型号： MJD112TF

品牌： 飞兆/仙童

封装： DPAK NPN 100V 2A 1750mW

功能相似

NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

MJD112T4和MJD112TF的区别