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MT46V64M8TG-5B:D TR

MT46V64M8TG-5B:D TR

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

IC SDRAM 512Mbit 200MHz 66TSOP

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 66-TSOP


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP


MT46V64M8TG-5B:D TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.60 V, 2.70 V max

时钟频率 200MHz max

存取时间 5.00 ns

内存容量 512000000 B

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MT46V64M8TG-5B:D TR引脚图与封装图
MT46V64M8TG-5B:D TR引脚图

MT46V64M8TG-5B:D TR引脚图

MT46V64M8TG-5B:D TR封装图

MT46V64M8TG-5B:D TR封装图

MT46V64M8TG-5B:D TR封装焊盘图

MT46V64M8TG-5B:D TR封装焊盘图

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