MT46V128M4FN-5B:D TR

Micron(镁光) 主动器件

Ic Sdram 512Mbit 200MHz 60fbga

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb（128M x 4）并联 60-FBGA（10x12.5）

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Win Source:
IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA

MT46V128M4FN-5B:D TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 2.60 V, 2.70 V max

时钟频率 200MHz max

存取时间 700 ps

内存容量 512000000 B

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MT46V128M4FN-5B:D TR引脚图与封装图

MT46V128M4FN-5B:D TR引脚图

MT46V128M4FN-5B:D TR封装图

MT46V128M4FN-5B:D TR封装焊盘图

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