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MT29F4G16ABBDAHC:D TR

MT29F4G16ABBDAHC:D TR

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 256M x 16Bit 63Pin VFBGA T/R

FLASH - NAND Memory IC 4Gb 256M x 16 Parallel 63-VFBGA


得捷:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA


安富利:
SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 256M x 16Bit 63-Pin VFBGA T/R


Win Source:
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA


MT29F4G16ABBDAHC:D TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-63

外形尺寸

封装 VFBGA-63

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

MT29F4G16ABBDAHC:D TR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MT29F4G16ABBDAHC:D TR Micron 镁光 SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 256M x 16Bit 63Pin VFBGA T/R 搜索库存
替代型号MT29F4G16ABBDAHC:D TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT29F4G16ABBDAHC:D TR

品牌: Micron 镁光

封装: 63-VFBGA

当前型号

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 256M x 16Bit 63Pin VFBGA T/R

当前型号

型号: MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR

品牌: 镁光

封装: 63-VFBGA

完全替代

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 256M x 16Bit 63Pin VFBGA T/R

MT29F4G16ABBDAHC:D TR和MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR的区别

型号: MT29F4G16ABBDAHC-IT:D

品牌: 镁光

封装: VFBGA 500000000B

完全替代

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 256M x 16 25ns 63Pin VFBGA

MT29F4G16ABBDAHC:D TR和MT29F4G16ABBDAHC-IT:D的区别

型号: MT29F4G16ABCHC:C TR

品牌: 镁光

封装:

完全替代

Flash 4GB Mass Storage

MT29F4G16ABBDAHC:D TR和MT29F4G16ABCHC:C TR的区别