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M95512-RMN6TP

M95512-RMN6TP

数据手册.pdf

M95512 系列 512K 1.8 V SO8 EE

EEPROM Memory IC 512Kb 64K x 8 SPI 16MHz 8-SO


得捷:
IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC


立创商城:
M95512-RMN6TP


贸泽:
电可擦除可编程只读存储器 SPI Bus EEProm High Speed Clck


艾睿:
EEPROM Serial-SPI 512K-bit 64K x 8 2.5V/3.3V/5V 8-Pin SO N T/R


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**E²ser.SPI 64kx8 SO8 1.8V **


Win Source:
IC EEPROM 512KBIT 5MHZ 8SO


M95512-RMN6TP中文资料参数规格
技术参数

频率 5 MHz

供电电流 2.5 mA

针脚数 8

时钟频率 16 MHz

存取时间 150 ns

存取时间Max 80 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

M95512-RMN6TP引脚图与封装图
M95512-RMN6TP引脚图

M95512-RMN6TP引脚图

M95512-RMN6TP封装图

M95512-RMN6TP封装图

M95512-RMN6TP封装焊盘图

M95512-RMN6TP封装焊盘图

在线购买M95512-RMN6TP
型号 制造商 描述 购买
M95512-RMN6TP ST Microelectronics 意法半导体 M95512 系列 512K 1.8 V SO8 EE 搜索库存
替代型号M95512-RMN6TP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: M95512-RMN6TP

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SO

当前型号

M95512 系列 512K 1.8 V SO8 EE

当前型号

型号: M95512-RDW6TP

品牌: 意法半导体

封装: TSSOP

完全替代

PROM 串行 SPI,STMicroelectronics与串行外设接口 SPI 总线兼容 ### EEPROM 串行存取 - STMicroelectronics

M95512-RMN6TP和M95512-RDW6TP的区别

型号: M95512-RDW6P

品牌: 意法半导体

封装: 8-TSSOP

完全替代

电可擦除可编程只读存储器 512 Kbit Serial SPI 电可擦除可编程只读存储器 highspeed

M95512-RMN6TP和M95512-RDW6P的区别

型号: M95512-WMN6TP

品牌: 意法半导体

封装: SOIC 64000B 2.5V 10MHz 8Pin

类似代替

STMICROELECTRONICS  M95512-WMN6TP  EEPROM, 512 Kbit, 64K x 8位, 10 MHz, 串行SPI, SOIC, 8 引脚

M95512-RMN6TP和M95512-WMN6TP的区别