MMBZ12VAL,215
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NXP
恩智浦
分立器件
MMBZ12VAL,215中文资料参数规格
技术参数
电容 140 pF
电路数 2
耗散功率 0.36 W
钳位电压 17 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 11.4 V
击穿电压 11.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBZ12VAL,215引脚图与封装图
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在线购买MMBZ12VAL,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBZ12VAL,215 | NXP 恩智浦 | MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23 | 搜索库存 |
替代型号MMBZ12VAL,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBZ12VAL,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT23-3 | 当前型号 | MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23 | 当前型号 |
| 型号： MMBZ12VDL,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT23 | 完全替代 | MMBZ10VAL 系列 8.5 V 110 pF 单向 双 ESD 保护 二极管 - SOT23 | MMBZ12VAL,215和MMBZ12VDL,215的区别 |
| 型号： MMBZ12VALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 12V 40W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBZ12VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚 | MMBZ12VAL,215和MMBZ12VALT1G的区别 |