LCMXO640E-3FTN256I中文资料参数规格
技术参数
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 1.14V ~ 1.26V
电源电压Max 1.26 V
电源电压Min 1.14 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 256
封装 FTBGA-256
外形尺寸
长度 17 mm
宽度 17 mm
高度 1.25 mm
封装 FTBGA-256
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
LCMXO640E-3FTN256I引脚图与封装图 
LCMXO640E-3FTN256I引脚图
LCMXO640E-3FTN256I封装图
LCMXO640E-3FTN256I封装焊盘图
在线购买LCMXO640E-3FTN256I
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LCMXO640E-3FTN256I | Lattice Semiconductor 莱迪思 | Flash PLD, 4.9ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, ROHS COMPLIANT, FTBGA-256 | 搜索库存 |
替代型号LCMXO640E-3FTN256I
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LCMXO640E-3FTN256I 品牌： Lattice Semiconductor 莱迪思 封装： FTBGA-256 | 当前型号 | Flash PLD, 4.9ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17MM, ROHS COMPLIANT, FTBGA-256 | 当前型号 |
| 型号： LCMXO640E-3FTN256C 品牌： 莱迪思 封装： FTBGA-256 500MHz 1.14V | 类似代替 | FPGA - 现场可编程门阵列 640 LUTs 159 IO 1.2V -3 Spd | LCMXO640E-3FTN256I和LCMXO640E-3FTN256C的区别 |
| 型号： LCMXO640E-4FTN256C 品牌： 莱迪思 封装： FTBGA-256 420MHz 1.14V | 类似代替 | LATTICE SEMICONDUCTOR LCMXO640E-4FTN256C CPLD, FLASH, 320, 159 I/O"s, BGA, 256Pins, 550MHz | LCMXO640E-3FTN256I和LCMXO640E-4FTN256C的区别 |
| 型号： LCMXO640E-3FN256I 品牌： 莱迪思 封装： 256-BGA | 类似代替 | IC CPLD 320MC 4.9NS 256FPBGA | LCMXO640E-3FTN256I和LCMXO640E-3FN256I的区别 |