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LTE-3376
LiteOn 光宝 电子元器件分类

LTE-3376 系列 1.6 V 30° 100 mA 850 nm 通孔 IR 发射器和探测器

Infrared IR Emitter 850nm 1.6V 80mA 30mW/sr @ 50mA 30° Radial


得捷:
EMITTER IR 850NM 80MA RADIAL


艾睿:
Infrared Emitter 850nm 45mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4


儒卓力:
**IR-EMITTING DIODE 850NM, 5MM **


LTE-3376中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 0.03 µs

正向电压 1.6 V

波长 850 nm

视角 30°

峰值波长 850 nm

耗散功率 200 mW

测试电流 50 mA

正向电流 80 mA

正向电压Max 2 V

正向电流Max 80 mA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

封装 T-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

LTE-3376引脚图与封装图
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