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L6386ED013TR

L6386ED013TR

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MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics

MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics

### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET 灌:400mA 拉:650mA


欧时:
STMicroelectronics L6386ED013TR 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 0.65A, 最大为 17 V电源, 14引脚 SOIC封装


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SO T/R


Verical:
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 14-Pin SOIC T/R


儒卓力:
**HaBr MOSvIGBTDr 600V SO-14 SMD **


Win Source:
IC DRIVER HI/LO SIDE HV 14-SOIC


L6386ED013TR中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

耗散功率 0.75 W

上升时间 50 ns

输出电流Max 0.65 A

下降时间 30 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 750 mW

电源电压 17 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

长度 8.75 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

L6386ED013TR引脚图与封装图
L6386ED013TR引脚图

L6386ED013TR引脚图

L6386ED013TR封装图

L6386ED013TR封装图

L6386ED013TR电路图

L6386ED013TR电路图

L6386ED013TR封装焊盘图

L6386ED013TR封装焊盘图

在线购买L6386ED013TR
型号 制造商 描述 购买
L6386ED013TR ST Microelectronics 意法半导体 MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics ### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号L6386ED013TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： L6386ED013TR

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： SO-14 14Pin

当前型号

MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics

当前型号

型号： L6386ED

品牌： 意法半导体

封装： Surface 9.1V 14Pin

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型号： L6386D

品牌： 意法半导体

封装： Surface 17V 14Pin

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型号： L6386D013TR

品牌： 意法半导体

封装： Surface 17V 14Pin

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