LFE2M100SE-6F900I中文资料参数规格
技术参数
电源电压 1.14V ~ 1.26V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 FPBGA-900
外形尺寸
封装 FPBGA-900
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
LFE2M100SE-6F900I引脚图与封装图 
LFE2M100SE-6F900I引脚图
LFE2M100SE-6F900I封装图
LFE2M100SE-6F900I封装焊盘图
在线购买LFE2M100SE-6F900I
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LFE2M100SE-6F900I | Lattice Semiconductor 莱迪思 | 95K LUTs 416 I/O S-Series SERDES Memory DSP 1.2V -6 Speed IND | 搜索库存 |
替代型号LFE2M100SE-6F900I
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LFE2M100SE-6F900I 品牌： Lattice Semiconductor 莱迪思 封装： 900-FPBGA | 当前型号 | 95K LUTs 416 I/O S-Series SERDES Memory DSP 1.2V -6 Speed IND | 当前型号 |
| 型号： LFE2M100E-5FN900C 品牌： 莱迪思 封装： fpBGA-900 311MHz 1.2V | 完全替代 | Field Programmable Gate Array, 311MHz, 100000-Cell, PBGA900, 31 X 31MM, LEAD FREE, FPBGA-900 | LFE2M100SE-6F900I和LFE2M100E-5FN900C的区别 |
| 型号： LFE2M100E-6FN900I 品牌： 莱迪思 封装： fpBGA-900 | 完全替代 | FPGA LatticeECP2M Family 95000 Cells 90nm Technology 1.2V 900Pin FBGA | LFE2M100SE-6F900I和LFE2M100E-6FN900I的区别 |
| 型号： LFE2M100SE-5FN900I 品牌： 莱迪思 封装： fpBGA-900 | 完全替代 | FPGA - 现场可编程门阵列 95K LUTs 416 S Ser Memory DSP 1.2V 5SPD | LFE2M100SE-6F900I和LFE2M100SE-5FN900I的区别 |