LCMXO640E-4M132I中文资料参数规格
技术参数
电源电压 1.14V ~ 1.26V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 LFBGA-132
外形尺寸
封装 LFBGA-132
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 100℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
LCMXO640E-4M132I引脚图与封装图
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在线购买LCMXO640E-4M132I
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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LCMXO640E-4M132I | Lattice Semiconductor 莱迪思 | IC CPLD 320MC 4.2NS 132BGA | 搜索库存 |
替代型号LCMXO640E-4M132I
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: LCMXO640E-4M132I 品牌: Lattice Semiconductor 莱迪思 封装: 132-LFBGA | 当前型号 | IC CPLD 320MC 4.2NS 132BGA | 当前型号 | |
型号: LCMXO640E-4MN132I 品牌: 莱迪思 封装: CSBGA-132 | 类似代替 | Flash PLD, 4.2ns, CMOS, PBGA132, 8 X 8MM, ROHS COMPLIANT, CSBGA-132 | LCMXO640E-4M132I和LCMXO640E-4MN132I的区别 |