LMC660CN
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National Semiconductor
美国国家半导体
电子元器件分类
LMC660CN中文资料参数规格
技术参数
共模抑制比 63 dB
带宽 500 kHz
增益频宽积 1.4 MHz
输入补偿电压 6 mV
输入偏置电流 0.000002 nA
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
增益带宽 1.4 MHz
电源电压 5V ~ 15.5V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 14
封装 DIP-14
外形尺寸
封装 DIP-14
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17
LMC660CN引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LMC660CN | National Semiconductor 美国国家半导体 | CMOS四路运算放大器 CMOS Quad Operational Amplifier | 搜索库存 |
替代型号LMC660CN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LMC660CN 品牌： National Semiconductor 美国国家半导体 封装： | 当前型号 | CMOS四路运算放大器 CMOS Quad Operational Amplifier | 当前型号 |
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| 型号： LMC660AIN/NOPB 品牌： 德州仪器 封装： DIP 1.4MHz 4Channel 14Pin | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS LMC660AIN/NOPB. 芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, DIP-14 | LMC660CN和LMC660AIN/NOPB的区别 |
| 型号： LMC660AIN 品牌： 美国国家半导体 封装： | 功能相似 | CMOS四路运算放大器 CMOS Quad Operational Amplifier | LMC660CN和LMC660AIN的区别 |