L6221CD013TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3500 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-20
外形尺寸
封装 SOIC-20
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
L6221CD013TR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| L6221CD013TR | ST Microelectronics 意法半导体 | 达林顿晶体管 1.8 Amp Quad Switch | 搜索库存 |