L6221AD中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.00 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-20
外形尺寸
封装 SOIC-20
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
L6221AD引脚图与封装图 
L6221AD引脚图
L6221AD封装图
L6221AD封装焊盘图
替代型号L6221AD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： L6221AD 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 20-SOIC 1W | 当前型号 | QUAD达林顿开关管 QUAD DARLINGTON SWITCH | 当前型号 |
| 型号： L6221AD013TR 品牌： 意法半导体 封装： 20-SOIC 50V 1.8A | 完全替代 | Darlington Transistors 1.8A Quad Switch | L6221AD和L6221AD013TR的区别 |
| 型号： NCV7601P 品牌： 安森美 封装： 16-DIP 5.5V 1.8A 16Pin | 功能相似 | 集成了四驱动器 | L6221AD和NCV7601P的区别 |