L6387D中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 17.0V max
上升/下降时间 50ns, 30ns
输出接口数 2
供电电流 220 mA
耗散功率 750 mW
上升时间 50 ns
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -45 ℃
耗散功率Max 750 mW
电源电压 17 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -45℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
L6387D引脚图与封装图
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在线购买L6387D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| L6387D | ST Microelectronics 意法半导体 | 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER | 搜索库存 |
替代型号L6387D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： L6387D 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： Surface 17V 8Pin | 当前型号 | 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER | 当前型号 |
| 型号： L6387ED013TR 品牌： 意法半导体 封装： SO | 完全替代 | L6387 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - SOIC-8 | L6387D和L6387ED013TR的区别 |
| 型号： L6387 品牌： 意法半导体 封装： Through 17V 8Pin | 完全替代 | 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER | L6387D和L6387的区别 |
| 型号： L6387DTR 品牌： 意法半导体 封装： | 完全替代 | 门驱动器 Hi-Volt Hi-Low Side | L6387D和L6387DTR的区别 |