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LQA10N200C

LQA10N200C

数据手册.pdf
Power Integrations 帕沃英蒂格盛 分立器件

快速/超快二极管, Qspeed, 200 V, 10 A, 共阴极, 1.1 V, 13.9 ns, 60 A

General Description

This device has the lowest QRR of any 200 V Silicon diode. Its recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers.

Applications

● AC/DC and DC/DC output rectification

   ● Output and freewheeling diodes

● Motor drive circuits

● DC-AC inverters

Features

● Low QRR, Low IRRM, Low tRR

● High dIF/dt capable 1000A/s

● Soft recovery

Benefits

● Increases efficiency

● Eliminates need for snubber circuits

● Reduces EMI filter component size and count

● Enables extremely fast switching

LQA10N200C中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.1V @5A

耗散功率 27.7 W

反向恢复时间 13.9 ns

正向电流 10 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 60 A

正向电压Max 1.1V @5A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

LQA10N200C引脚图与封装图
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在线购买LQA10N200C
型号 制造商 描述 购买
LQA10N200C Power Integrations 帕沃英蒂格盛 快速/超快二极管, Qspeed, 200 V, 10 A, 共阴极, 1.1 V, 13.9 ns, 60 A 搜索库存
替代型号LQA10N200C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: LQA10N200C

品牌: Power Integrations 帕沃英蒂格盛

封装: TO-252-3

当前型号

快速/超快二极管, Qspeed, 200 V, 10 A, 共阴极, 1.1 V, 13.9 ns, 60 A

当前型号

型号: VS-10CDU06-M3/I

品牌: 威世

封装:

功能相似

DIODE ARRAY GP 600V 5A TO263AC

LQA10N200C和VS-10CDU06-M3/I的区别