上升/下降时间 50ns, 30ns
输出接口数 2
耗散功率 750 mW
上升时间 50 ns
输出电流Max 0.65 A
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -45 ℃
耗散功率Max 750 mW
电源电压 17 V
安装方式 Through Hole
引脚数 14
封装 PDIP-14
封装 PDIP-14
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
L6386E引脚图
L6386E封装图
L6386E电路图
L6386E封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| L6386E | ST Microelectronics 意法半导体 | L6386 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-14 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： L6386E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PDIP | 当前型号 | L6386 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-14 | 当前型号 |
| 型号： L6386 品牌： 意法半导体 封装： | 完全替代 | 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER | L6386E和L6386的区别 |
| 型号： L6386ED 品牌： 意法半导体 封装： Surface 9.1V 14Pin | 功能相似 | STMICROELECTRONICS L6386ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14 | L6386E和L6386ED的区别 |
| 型号： L6386ED013TR 品牌： 意法半导体 封装： SO-14 14Pin | 功能相似 | MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics | L6386E和L6386ED013TR的区别 |
