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L6393D

STMICROELECTRONICS  L6393D  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14

MOSFET & IGBT 驱动器,STMicroelectronics

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欧时:
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得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO


立创商城:
L6393D


贸泽:
Gate Drivers HALF-BRIDGE GATE DRIVER


艾睿:
Driver 600V 0.43A 1-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv Automotive 14-Pin SOIC Tube


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MOSFET DRVR 600V 0.43A 1-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SOIC Tube


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L6393 Series Dual 270 mA 120 Ω Half Bridge Gate Driver Surface Mount - SOIC-14


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Driver 600V 0.43A 1-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv Automotive 14-Pin SOIC Tube


TME:
Driver; 290mA; 580V; 800mW; Channels:2; 800kHz; SO14; Usup:10÷20V


Verical:
Driver 600V 0.43A 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SOIC Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  L6393D  DRIVER, MOSFET, IGBT, 600V, 0.43A, 14SO


L6393D中文资料参数规格
技术参数

频率 0.8 MHz

电源电压DC 10.0V min

上升/下降时间 75ns, 35ns

输出接口数 1

输出电压 580 V

针脚数 14

耗散功率 800 mW

上升时间 75 ns

下降时间 35 ns

下降时间Max 70 ns

上升时间Max 120 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 800 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 20 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 14

封装 SOIC-14

外形尺寸

长度 8.75 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Lighting, Power Management, 工业, 照明, Industrial, 电机驱动与控制, 建筑自动化, Building Automation, Consumer Electronics, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

L6393D引脚图与封装图
L6393D引脚图

L6393D引脚图

L6393D封装图

L6393D封装图

L6393D封装焊盘图

L6393D封装焊盘图

在线购买L6393D
型号 制造商 描述 购买
L6393D ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  L6393D  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14 搜索库存
替代型号L6393D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: L6393D

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOIC 10V 14Pin

当前型号

STMICROELECTRONICS  L6393D  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14

当前型号

型号: L6392D

品牌: 意法半导体

封装: SO 12.5V 14Pin

类似代替

STMICROELECTRONICS  L6392D  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14

L6393D和L6392D的区别

型号: L6393DTR

品牌: 意法半导体

封装: SO-14

类似代替

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA

L6393D和L6393DTR的区别

型号: L6392DTR

品牌: 意法半导体

封装: SO-14

功能相似

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA

L6393D和L6392DTR的区别