LM306DR
TI(德州仪器)
主动器件
LM306DR中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 15.0V min
输出电流 100 nA
供电电流 6.60 mA
电路数 1
通道数 1
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
LM306DR引脚图与封装图 
LM306DR引脚图
LM306DR封装图
LM306DR封装焊盘图
替代型号LM306DR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LM306DR 品牌： TI 德州仪器 封装： 8-SOIC 8Pin 1Channel 6.6mA | 当前型号 | Comparator Single ±12V 8Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： LM306D 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 1Channel 6.6mA | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS LM306D 芯片, 差分比较器, 单路 28NS SOIC8 | LM306DR和LM306D的区别 |
| 型号： LM306DRG4 品牌： 德州仪器 封装： 8-SOIC 8Pin 1Channel 6.6mA | 类似代替 | 模拟比较器 Sgl Strobed Hi Spd Diff Comp | LM306DR和LM306DRG4的区别 |