
额定电压DC 90.0 V
额定电流 400 mA
极性 NPN
耗散功率 1800 mW
击穿电压集电极-发射极 90 V
集电极最大允许电流 0.4A
额定功率Max 1.8 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -25 ℃
耗散功率Max 1.8 W
电源电压 5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 18
封装 DIP-18
封装 DIP-18
工作温度 -25℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: L603C 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: DIP NPN 90V 400mA 1800mW | 当前型号 | 达林顿阵列 DARLINGTON ARRAYS | 当前型号 | |
型号: SG2823J 品牌: 美高森美 封装: NPN | 功能相似 | 高压中等电流驱动器阵列 HIGH VOLTAGE MEDIUM CURRENT DRIVER ARRAYS | L603C和SG2823J的区别 | |
型号: ULQ2823A 品牌: 急速微电子 封装: | 功能相似 | PDIP NPN 95V 0.5A | L603C和ULQ2823A的区别 | |
型号: 5962-8968501VA 品牌: 美高森美 封装: | 功能相似 | CDIP NPN 95V 0.5A | L603C和5962-8968501VA的区别 |