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L603C

达林顿阵列 DARLINGTON ARRAYS

Bipolar BJT Transistor Array 8 NPN Darlington 90V 400mA 1.8W Through Hole 18-DIP


得捷:
TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP


艾睿:
Trans Darlington NPN 90V 0.4A 1800mW 18-Pin PDIP Tube


安富利:
Trans Darlington NPN 90V 0.4A 18-Pin PDIP Tube


Win Source:
TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP


L603C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 90.0 V

额定电流 400 mA

极性 NPN

耗散功率 1800 mW

击穿电压集电极-发射极 90 V

集电极最大允许电流 0.4A

额定功率Max 1.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 1.8 W

电源电压 5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 18

封装 DIP-18

外形尺寸

封装 DIP-18

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

L603C引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
L603C ST Microelectronics 意法半导体 达林顿阵列 DARLINGTON ARRAYS 搜索库存
替代型号L603C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: L603C

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: DIP NPN 90V 400mA 1800mW

当前型号

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