LFE2M50E-5FN900C中文资料参数规格
技术参数
频率 311 MHz
电源电压DC 1.20 V
RAM大小 4246528 b
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.14V ~ 1.26V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 900
封装 FPBGA-900
外形尺寸
高度 1.65 mm
封装 FPBGA-900
物理参数
工作温度 0℃ ~ 85℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
LFE2M50E-5FN900C引脚图与封装图 
LFE2M50E-5FN900C引脚图
LFE2M50E-5FN900C封装图
LFE2M50E-5FN900C封装焊盘图
在线购买LFE2M50E-5FN900C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LFE2M50E-5FN900C | Lattice Semiconductor 莱迪思 | FPGA LatticeECP2M Family 48000 Cells 90nm Technology 1.2V 900Pin FBGA | 搜索库存 |
替代型号LFE2M50E-5FN900C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LFE2M50E-5FN900C 品牌： Lattice Semiconductor 莱迪思 封装： fpBGA-900 311MHz 1.2V | 当前型号 | FPGA LatticeECP2M Family 48000 Cells 90nm Technology 1.2V 900Pin FBGA | 当前型号 |
| 型号： LFE2M50E-7FN900C 品牌： 莱迪思 封装： fpBGA-900 | 完全替代 | 48K LUTs 410 I/O SERDES Memory DSP 1.2V -7 Speed | LFE2M50E-5FN900C和LFE2M50E-7FN900C的区别 |
| 型号： LFE2M50SE-6FN900C 品牌： 莱迪思 封装： fpBGA-900 | 完全替代 | FPGA - Field Programmable Gate Array 48K LUTs 410 S Ser Memory DSP 1.2V 6SPD | LFE2M50E-5FN900C和LFE2M50SE-6FN900C的区别 |
| 型号： LFE2M50SE-7FN900C 品牌： 莱迪思 封装： fpBGA-900 | 完全替代 | 48K LUTs 410 I/O S-Series SERDES Memory DSP 1.2V -7 Speed | LFE2M50E-5FN900C和LFE2M50SE-7FN900C的区别 |