频率 311 MHz
电源电压DC 1.20 V
RAM大小 2151424 b
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.14V ~ 1.26V
安装方式 Surface Mount
引脚数 672
封装 BBGA-672
高度 1.65 mm
封装 BBGA-672
工作温度 0℃ ~ 85℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 3A991.d
香港进出口证 NLR
LFE2M35E-5FN672C引脚图
LFE2M35E-5FN672C封装图
LFE2M35E-5FN672C封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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LFE2M35E-5FN672C | Lattice Semiconductor 莱迪思 | Field Programmable Gate Array, 311MHz, 35000-Cell, PBGA672, 27 X 27MM, LEAD FREE, FPBGA-672 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: LFE2M35E-5FN672C 品牌: Lattice Semiconductor 莱迪思 封装: FBGA 311MHz 1.2V | 当前型号 | Field Programmable Gate Array, 311MHz, 35000-Cell, PBGA672, 27 X 27MM, LEAD FREE, FPBGA-672 | 当前型号 | |
型号: LFE2M35E-7FN672C 品牌: 莱迪思 封装: FPBGA-672 | 完全替代 | FPGA LatticeECP2M Family 34000 Cells 90nm Technology 1.2V 672Pin FBGA | LFE2M35E-5FN672C和LFE2M35E-7FN672C的区别 | |
型号: LFE2M35SE-5FN672C 品牌: 莱迪思 封装: FPBGA-672 | 完全替代 | 34K LUTs 410 I/O S-Series SERDES Memory DSP 1.2V -5 Speed | LFE2M35E-5FN672C和LFE2M35SE-5FN672C的区别 | |
型号: LFE2M35SE-6FN672C 品牌: 莱迪思 封装: FPBGA-672 | 完全替代 | 34K LUTs 410 I/O S-Series SERDES Memory DSP 1.2V -6 Speed | LFE2M35E-5FN672C和LFE2M35SE-6FN672C的区别 |