LIA136STR
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
电子元器件分类
LIA136STR中文资料参数规格
技术参数
电路数 1
通道数 1
正向电压 1.4 V
耗散功率 145 mW
增益频宽积 10 kHz
隔离电压 3750 Vrms
击穿电压集电极-发射极 20 V
输入偏置电流 340 nA
正向电压Max 1.4 V
工作温度Max 110 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DIP-8
外形尺寸
长度 9.65 mm
宽度 6.35 mm
高度 3.3 mm
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 110℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
LIA136STR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买LIA136STR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LIA136STR | IXYS Semiconductor | OptoCoupler Transistor 1CH 1.8V/2.5V/3.3V/5V/9V 8Pin PDIP SMD T/R | 搜索库存 |
替代型号LIA136STR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LIA136STR 品牌： IXYS Semiconductor 封装： DIP-8 | 当前型号 | OptoCoupler Transistor 1CH 1.8V/2.5V/3.3V/5V/9V 8Pin PDIP SMD T/R | 当前型号 |
| 型号： LIA136S 品牌： IXYS Semiconductor 封装： DIP-8 | 完全替代 | OptoCoupler Transistor 1CH 1.8V/2.5V/3.3V/5V/9V 8Pin PDIP SMD Tube | LIA136STR和LIA136S的区别 |