LM2904VQDR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
LM2904VQDR中文资料参数规格
技术参数
输出电流 30mA @15V
供电电流 1 mA
电路数 2
耗散功率 450 mW
增益频宽积 0.7 MHz
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 0.7 MHz
耗散功率Max 450 mW
共模抑制比Min 65 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
LM2904VQDR引脚图与封装图
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在线购买LM2904VQDR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LM2904VQDR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 奖杯系列运算放大器 TROPHY SERIES Operational Amplifiers | 搜索库存 |
替代型号LM2904VQDR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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