LM386N-1
数据手册.pdf
National Semiconductor
美国国家半导体
主动器件
LM386N-1中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 6.00 V
额定功率 325 mW
通道数 1
带宽 300 kHz
输出功率 325 mW
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
耗散功率Max 1250 mW
电源电压 4V ~ 12V
电源电压Max 12 V
电源电压Min 4 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 8
封装 DIP-8
外形尺寸
封装 DIP-8
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
LM386N-1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号LM386N-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LM386N-1 品牌： National Semiconductor 美国国家半导体 封装： DIP 8Pin 6V 325mW | 当前型号 | LM386N-1 管装 | 当前型号 |
| 型号： LM386MX-1 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin | 类似代替 | Audio Amp Speaker 1CH Mono 0.325W Class-AB 8Pin SOIC T/R | LM386N-1和LM386MX-1的区别 |
| 型号： LM386N-3/NOPB 品牌： 美国国家半导体 封装： | 类似代替 | IC AMP AUDIO PWR 0.7W MONO 8DIP | LM386N-1和LM386N-3/NOPB的区别 |