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KST5401
Samsung 三星 电子元器件分类

KST5401 PNP三极管 -160V -500mA/-0.5A 100~300MHz 60~240 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2L 高电压

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −150V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100~300MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 60~240 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor High Voltage Transistor 描述与应用| PNP外延平面晶体管 高电压晶体管


KST5401中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

KST5401引脚图与封装图
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KST5401 Samsung 三星 KST5401 PNP三极管 -160V -500mA/-0.5A 100~300MHz 60~240 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2L 高电压 搜索库存
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型号: KST5401

品牌: Samsung 三星

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KST5401 PNP三极管 -160V -500mA/-0.5A 100~300MHz 60~240 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2L 高电压

当前型号

型号: MMBT5401LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -150V -500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

KST5401和MMBT5401LT1G的区别

型号: MMBT5401-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23 150V 200mA 300mW

功能相似

MMBT5401-7-F 编带

KST5401和MMBT5401-7-F的区别

型号: MMBT5401-TP

品牌: 美微科

封装: SOT-23 PNP -150V -600mA 300mW

功能相似

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  MMBT5401-TP  双极性晶体管, PNP, 150VDC, SOT-23

KST5401和MMBT5401-TP的区别