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K6R4008V1D-UI10

数据手册.pdf
Samsung 三星 电子元器件分类
K6R4008V1D-UI10中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

K6R4008V1D-UI10引脚图与封装图
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在线购买K6R4008V1D-UI10
型号 制造商 描述 购买
K6R4008V1D-UI10 Samsung 三星 256Kx16 Bit High Speed Static RAM5V Operating. Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. 搜索库存
替代型号K6R4008V1D-UI10
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: K6R4008V1D-UI10

品牌: Samsung 三星

封装:

当前型号

256Kx16 Bit High Speed Static RAM5V Operating. Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

当前型号

型号: K6R4008V1D-TC10

品牌: 三星

封装: TSOP

完全替代

256Kx16 Bit High Speed Static RAM5V Operating. Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

K6R4008V1D-UI10和K6R4008V1D-TC10的区别

型号: GS74108AGP-10I

品牌: GSI

封装: TSOP-II 500000B 3V 44Pin

类似代替

GSI TECHNOLOGY  GS74108AGP-10I  芯片, 4MB ASYNCH芯片, SRAM 512K X 8, 10NS, SMD

K6R4008V1D-UI10和GS74108AGP-10I的区别

型号: IS61WV5128BLL-10TLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP-II

功能相似

RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

K6R4008V1D-UI10和IS61WV5128BLL-10TLI的区别