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K6T1008C2C-DL70

K6T1008C2C-DL70

数据手册.pdf
Samsung 三星 电子元器件分类

1Mbit SRAM 70ns 32-DIP - K6T1008C2C-DL70

GENERAL DESCRIPTION

The K6T1008C2C families are fabricated by SAMSUNG¢s advanced CMOS process technology. The families support various operating temperature ranges and have various package types for user flexibility of system design. The families also support low data retention voltage for battery back

up operation with low data retention current.

FEATURES

· Process Technology: TFT

·Organization: 128K x8

·Power Supply Voltage: 4.5~5.5V

·Low Data Retention Voltage: 2VMin

·Three state output and TTL Compatible

·Package Type: 32-DIP-600, 32-SOP-525, 32-TSOP1-0820F/R

K6T1008C2C-DL70中文资料参数规格
封装参数

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

K6T1008C2C-DL70引脚图与封装图
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K6T1008C2C-DL70 Samsung 三星 1Mbit SRAM 70ns 32-DIP - K6T1008C2C-DL70 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: K6T1008C2C-DL70

品牌: Samsung 三星

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