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K4S511632B-UC75

数据手册.pdf
Samsung 三星 主动器件
K4S511632B-UC75中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 133 MHz

存取时间 7.50 ns

电源电压 3.3 V

封装参数

封装 TSOPⅡ

外形尺寸

封装 TSOPⅡ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

K4S511632B-UC75引脚图与封装图
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在线购买K4S511632B-UC75
型号 制造商 描述 购买
K4S511632B-UC75 Samsung 三星 DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II 搜索库存
替代型号K4S511632B-UC75
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: K4S511632B-UC75

品牌: Samsung 三星

封装: TSOP 7.5ns

当前型号

DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54Pin TSOP-II

当前型号

型号: IS42S16320B-7TLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP-II 54Pin

功能相似

INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS42S16320B-7TLI  存储芯片, SDRAM, IND, 32M X 16, 3V, 54TSOP2

K4S511632B-UC75和IS42S16320B-7TLI的区别

型号: MT48LC32M16A2P-75:C

品牌: 镁光

封装: TSOP

功能相似

RAM,Micron Technology### 动态 RAM

K4S511632B-UC75和MT48LC32M16A2P-75:C的区别

型号: MT48LC32M16A2P-75IT:C

品牌: 镁光

封装: TSOP

功能相似

RAM/MT48LC32M16A2P-75IT:C

K4S511632B-UC75和MT48LC32M16A2P-75IT:C的区别