KBP210G

GeneSiC Semiconductor 主动器件

DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP

Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP

得捷:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP

艾睿:
DIODE Bridge 2A 600V 1PH KBP

KBP210G中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.1V @2A

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 SIP-4

外形尺寸

长度 14.75 mm

宽度 3.65 mm

高度 10.6 mm

封装 SIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

KBP210G引脚图与封装图

暂无图片

在线购买KBP210G

型号	制造商	描述	购买
KBP210G	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 2A 1000V 1PH KBP	搜索库存