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KSE13003ASTU

KSE13003ASTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
KSE13003ASTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 400 V

额定电流 1.50 A

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 8 @500mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 20 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 3.25 mm

高度 11 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

KSE13003ASTU引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
KSE13003ASTU Fairchild 飞兆/仙童 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor 搜索库存
替代型号KSE13003ASTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KSE13003ASTU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 400V 1.5A

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor

当前型号

型号: KSE13003AS

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 400V 1.5A

完全替代

TRANS NPN 400V 1.5A TO-126

KSE13003ASTU和KSE13003AS的区别

型号: KSE13003H2ASTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-126 NPN 400V 1.5A 20000mW

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  KSE13003H2ASTU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 20 W, 1.5 A, 14 hFE

KSE13003ASTU和KSE13003H2ASTU的区别

型号: FJE3303H2TU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-126 N-Channel 400V 1.5A 20W

类似代替

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

KSE13003ASTU和FJE3303H2TU的区别