额定电压DC 400 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 8 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 20 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSE13003ASTU | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSE13003ASTU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-126 NPN 400V 1.5A | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor | 当前型号 | |
型号: KSE13003AS 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-126 NPN 400V 1.5A | 完全替代 | TRANS NPN 400V 1.5A TO-126 | KSE13003ASTU和KSE13003AS的区别 | |
型号: KSE13003H2ASTU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-126 NPN 400V 1.5A 20000mW | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSE13003H2ASTU 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 20 W, 1.5 A, 14 hFE | KSE13003ASTU和KSE13003H2ASTU的区别 | |
型号: FJE3303H2TU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-126 N-Channel 400V 1.5A 20W | 类似代替 | NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSE13003ASTU和FJE3303H2TU的区别 |