KDZTR8.2B
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
KDZTR8.2B中文资料参数规格
技术参数
容差 ±6 %
针脚数 2
耗散功率 1 W
测试电流 40 mA
稳压值 8.655 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123
外形尺寸
长度 2.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.8 mm
封装 SOD-123
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
温度系数 5 mV/℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
KDZTR8.2B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号KDZTR8.2B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KDZTR8.2B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOD-123 | 当前型号 | 1000mW，KDZ 系列，ROHM | 当前型号 |
| 型号： KDZVTR8.2B 品牌： 罗姆半导体 封装： SOD-123 | 功能相似 | ROHM KDZVTR8.2B 单管二极管 齐纳, 外延平面, 8.2 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C 新 | KDZTR8.2B和KDZVTR8.2B的区别 |