KDZVTR5.6B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
KDZVTR5.6B中文资料参数规格
技术参数
针脚数 2
耗散功率 1 W
测试电流 40 mA
稳压值 5.6 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123-2
外形尺寸
封装 SOD-123-2
物理参数
工作温度 150 ℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
KDZVTR5.6B引脚图与封装图 
KDZVTR5.6B引脚图
KDZVTR5.6B封装图
KDZVTR5.6B封装焊盘图
在线购买KDZVTR5.6B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KDZVTR5.6B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM KDZVTR5.6B 单管二极管 齐纳, 外延平面, 5.6 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C 新 | 搜索库存 |
替代型号KDZVTR5.6B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KDZVTR5.6B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOD-123 | 当前型号 | ROHM KDZVTR5.6B 单管二极管 齐纳, 外延平面, 5.6 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C 新 | 当前型号 |
| 型号： KDZTR5.6B 品牌： 罗姆半导体 封装： SOD123/1206-5.6V | 功能相似 | ROHM KDZTR5.6B 单管二极管 齐纳, 高静电防护, 5.856 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C | KDZVTR5.6B和KDZTR5.6B的区别 |