KDZTR6.8B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
KDZTR6.8B中文资料参数规格
技术参数
容差 ±6 %
耗散功率 1 W
测试电流 40 mA
稳压值 7.28 V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123F
外形尺寸
长度 2.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.8 mm
封装 SOD-123F
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
温度系数 3.2 mV/℃
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
KDZTR6.8B引脚图与封装图
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在线购买KDZTR6.8B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KDZTR6.8B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 1000mW，KDZ 系列，ROHM ### Zener Diodes, ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号KDZTR6.8B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KDZTR6.8B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOD-123F | 当前型号 | 1000mW，KDZ 系列，ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： KDZVTR6.8B 品牌： 罗姆半导体 封装： SOD-123F | 类似代替 | 单管二极管 齐纳, 6.8 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C | KDZTR6.8B和KDZVTR6.8B的区别 |