KSE45H11TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSE45H11TU中文资料参数规格
技术参数
频率 40 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -10.0 A
极性 PNP
耗散功率 1.67 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 1V
额定功率Max 1.67 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1670 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSE45H11TU引脚图与封装图
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在线购买KSE45H11TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSE45H11TU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 搜索库存 |
替代型号KSE45H11TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSE45H11TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 PNP -80V -10A 1670mW | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 当前型号 |
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