KSE181STU
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSE181STU中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSE181STU引脚图与封装图
暂无图片
替代型号KSE181STU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSE181STU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil | 当前型号 |
| 型号： MJE181STU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 NPN 60V 3A 1500mW | 完全替代 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSE181STU和MJE181STU的区别 |