频率 160 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 750 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 750 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.75 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSD1616ALTA | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSD1616ALTA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 60V 1A 750mW | 当前型号 | NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 | |
型号: KSD1616ALBU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 60V 1A | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil | KSD1616ALTA和KSD1616ALBU的区别 |