JAN2N6800
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6800中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 800mW Ta, 25W Tc
漏源极电压Vds 400 V
额定功率Max 800 mW
耗散功率Max 800mW Ta, 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N6800引脚图与封装图
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在线购买JAN2N6800
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6800 | Microsemi 美高森美 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6800
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6800 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-205AF | 当前型号 | 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 | 当前型号 |
| 型号： IRFF330 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 场效应管, MOSFET, N沟道, 400V, 3A TO-205AF | JAN2N6800和IRFF330的区别 |
| 型号： 2N6800 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3Pin TO-39 | JAN2N6800和2N6800的区别 |
