JAN2N2919L
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2919L中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-78-6
外形尺寸
封装 TO-78-6
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N2919L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N2919L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N2919L | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin TO-78 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N2919L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N2919L 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-78-6 | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin TO-78 | 当前型号 |
| 型号： 2N2919L 品牌： 美高森美 封装： TO-78-6 NPN | 完全替代 | NPN硅晶体管双 NPN SILICON DUAL TRANSISTOR | JAN2N2919L和2N2919L的区别 |
| 型号： JANTX2N2920 品牌： 美高森美 封装： TO-78 350mW | 类似代替 | JANTX 系列 60 V 30 mA NPN 通孔 硅 双 晶体管 - TO-78 | JAN2N2919L和JANTX2N2920的区别 |
