JAN2N2920U
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N2920U中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N2920U引脚图与封装图
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在线购买JAN2N2920U
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N2920U | Microsemi 美高森美 | Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin Case U | 搜索库存 |
替代型号JAN2N2920U
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N2920U 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 3-SMD | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin Case U | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N2920U 品牌： 美高森美 封装： U 350mW | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin Case U | JAN2N2920U和JANTX2N2920U的区别 |
| 型号： JANS2N2920U 品牌： 美高森美 封装： U 350mW | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 60V 0.03A 6Pin Case U | JAN2N2920U和JANS2N2920U的区别 |
