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JANTX2N3441

JANTX2N3441

数据手册.pdf

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

If your circuit"s specifications require a device that can handle high levels of voltage, "s NPN general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3000 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 140 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

JANTX2N3441中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 25 @500mA, 4V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JANTX2N3441引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
JANTX2N3441 Microsemi 美高森美 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR 搜索库存
替代型号JANTX2N3441
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JANTX2N3441

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-66 NPN 3000mW

当前型号

NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

当前型号

型号： 2N6338G

品牌： 安森美

封装： SMB NPN 100V 25A 200000mW

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