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JAN2N3439

JAN2N3439

数据手册.pdf

此系列高频，外延平面型晶体管具有低饱和电压。 This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.  These devices are also available in TO-39 and low profile U4 and UA
.
* ** packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.
JAN2N3439中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 350 V

最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160 @20mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

JAN2N3439引脚图与封装图
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在线购买JAN2N3439
型号 制造商 描述 购买
JAN2N3439 Microsemi 美高森美 此系列高频，外延平面型晶体管具有低饱和电压。 This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage. 搜索库存
替代型号JAN2N3439
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： JAN2N3439

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-39-3 800mW

当前型号

此系列高频，外延平面型晶体管具有低饱和电压。 This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.

当前型号

型号： JANS2N3439

品牌： 美高森美

封装： TO-39 NPN

完全替代

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

JAN2N3439和JANS2N3439的区别

型号： JANTXV2N3439L

品牌： 美高森美

封装： TO-5

类似代替

Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5

JAN2N3439和JANTXV2N3439L的区别

型号： JANTX2N3439UA

品牌： 美高森美

封装： UA NPN

类似代替

UA NPN 350V 1A

JAN2N3439和JANTX2N3439UA的区别